区熔单晶硅片
根据客户的需要公司可提供用于制作高反压器件、光电子器件的本征高阻区熔单晶硅片；用于制作硅整流器（SR）、可控硅（SCR）、巨型晶体管（GTR）、晶闸管（GRO）、静电感应晶闸管（SITH）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、超高压二极管（PIN）、 智能功率器件（SMART POWER）、功率集成器件（POWER IC）等半导体器件需要的中子辐照区熔单晶硅片、气相掺杂区熔单晶硅片、直拉区熔单晶硅片。
规格：
产品类型 | 导电类型 | 晶向 | 直径(mm) | 电阻率(Ω•cm) | 厚度(μm) |
本征高阻区熔单晶硅片 （FZ） | N&P | <100><110><111> | 40-150 | >100 | ≥160 |
中子辐照区熔单晶硅片 （NTDFZ） | N | <100><110><111> | 40-150 | 30-800 | ≥160 |
气相掺杂区熔单晶硅片 （GDFZ） | N&P | <100><110><111> | 76.2-150 | 0.001-50 | ≥160 |
直拉区熔单晶硅片 （CFZ） | N&P | <100><110><111> | 76.2-150 | 1-50 | ≥160 |
